Изучение люминесценции дефектов в гексагональном GaN является важным как для создания более совершенных светодиодных и других устройств на его базе, так и для углубления академических знаний о дефектах в целом.
Предложенный уникальный подход изучения введенных протяженных дефектов картированием в КЛ и в ПЭМ КЛ позволит установить прямую корреляцию между типом дефекта, его структурой и люминесценцией, связанной с ним. Данная уникальная методика была разработана в группе Dr. Christen и уже применялась ей успешно для изучения дефектов упаковки в GaN. К ней был также создан собственный пакет программ для обработки полученных данных, используемый только внутри группы Dr. Christen.
С.В, Шапенков писал магистерскую работу, а также участвовал в написании ряда статей по катодолюминесценции и тонкой структуре введенных дефектов в GaN.
По результатам исследований предполагается написание совместной статьи, а опыт полученный С.В. Шапенковым будет использован в дальнейших работах группы О.Ф. Вывенко.