Спиновые флуктуации ядер решётки являются одним из основных факторов, ограничивающих время жизни спиновой когерентности носителей заряда в полупроводниковых структурах. С другой стороны, ядерная спиновая система является тепловым резервуаром, хорошо изолированным от решётки, но связанным со спинами носителей заряда сверхтонким взаимодействием. Адиабатическое размагничивание ядерной спиновой системы металлов используется в криогенной технике для достижения ультранизких температур. В полупроводниках глубокое охлаждение ядерных спинов может быть достигнуто оптической накачкой через динамическую поляризацию ядерных спинов фотовозбуждёнными электронами. Задачей проекта является исследование возможности использовать глубокое охлаждение ядерных спинов для увеличения времени существования спиновой когерентности носителей заряда, взаимодействующих с ядерной спиновой системой.