Фундаментальная научная задача, на решение которой направлен проект, состоит в разработке новых элементов микроэлектроники с управляемым сопротивлением (мемристоров) для применения в современных компьютерах, имитирующих нейронные сети живых организмов. Оптимизация характеристик сегнетоэлектрического туннельного перехода преимущественно определяется параметрами сегнетоэлектрического слоя. Такой вариант мемристора имеет определенные недостатки, обусловленные особенностями реальных сегнетоэлектрических пленок, что препятствует повторяемости и воспроизводимости поведения различных мемристорных элементов. В настоящем проекте предлагается разработать физические основы альтернативного мемристорного элемента, в котором сегнетоэлектрическая пленка заменяется на наноструктурированный композит, представляющий собой тонкий слой нанопористой матрицы с введенными в поры сегнетоэлектрическими наночастицами.