Цель проекта – разработка методов теоретической оценки компонент тензора нелинейной восприимчивости третьего порядка (Х3) в кристаллических оксидах атомов с переменной валентностью и применение этих методов в исследовании диэлектрических свойств кристаллических оксидов теллура TeOx (x= 2–3). Диоксид теллура ТеО2 известен как материал, имеющий наибольшее среди всех оксидов значение Х3. Имеющиеся в литературе результаты теоретических исследований дают основания предполагать, что другие кристаллические оксиды теллура TeOx (x= 2–3), содержащие атомы теллура в различных валентных состояниях, могут иметь ещё более высокие значений Х3. Однако строгий анализ использованных в этих работах методов ставит под сомнение точность полученных оценок и определяет актуальность разработки более строгих расчетных методов, способных обеспечить надежность численных оценок. В результате успешного выполнения заявленных в проекте задач возможно обнаружение новых материалов с высокой оптической нелинейностью, что представляет большой интерес для повышения эффективности устройств оптоэлектроники.