1) Методом молекулярной пучковой эпитаксии была выращена большая серия гетероструктур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами различной ширины. Все гетероструктуры были охарактеризованы с помощью спектроскопии отражения и люминесценции, и для детального исследования были отобраны наиболее совершенные образцы. Была разработана методика спектроскопии возбуждения нерадиационного уширения экситонных резонансов (Nonradiative Broadening Excitation (NBE) spectroscopy).
2) В рамках модели поляритонных волн для широких квантовых ям GaAs/AlGaAs рассчитана величина продольно-поперечного расщепления экситонных состояний и спектры отражения как функция внешнего электрического поля и ширины квантовой ямы. Показано, что с ростом поля, величина этого расщепления падает, причем тем сильнее, чем шире квантовая яма. Предложены аппроксимирующие формулы для зависимостей, найденных численным моделированием.
3) Было проведено исследование светоэкситонного взаимодействия в широких квантовых ямах во внешних магнитных полях величиной до 10 Тл. Цель этого исследования состояла в изучении экситонного состояния с максимально возможной силой осциллятора. При теоретическом анализе были решены сразу несколько задач численного моделирования. Во-первых, был применен численный расчет с неоднородной сеткой, которая позволяет значительно сократить время расчетов и их объем без потери точности. Во-вторых, оптимизированный метод расчета позволил совместно рассчитывать экситонные состояния с тяжелой и с легкой дыркой, а также учесть в расчете их взаимное смешивание.
4) Установлено, что для структур высокого качества и в экспериментальных условиях, реализуемых в методе накачки-зондирования со спектральным разрешением, динамика уширения экситонных резонансов, в значительной мере, определяется динамическими процессами в резервуаре неизлучающих экситонов, характеризуемых большим волновым вектором вдоль слоя квантовой ямы
5) Выполнено сравнение динамики нерадиационного уширения с кинетикой люминесценции, измеренной на том же образце при различных условиях оптического возбуждения.