1. 1998
  2. Проявление резонансного Г-Х-смешивания в градиентных GaAs/AlAs-короткопериодных сверхрешетках

    Герловин, И. Я., Долгих, Ю. К., Ефимов, Ю. П., Игнатьев, И. В. & Недокус(Югова), И. А., 1998, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 40, 5, стр. 822-823

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II

    Герловин, И. Я., Долгих, Ю. К., Ефимов, Ю. П., Игнатьев, И. В., Новицкая, Е. Е. & Овсянкин, В. В., 1998, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 40, 6, стр. 1140-1146

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 1996
  5. Нелинейная люминесценция и динамическое уширение экситонных линий GaAs/AlGaAs-структур при стационарном оптическом возбуждении

    Абрамова, И. Н., Герловин, И. Я., Долгих, Ю. К., Елисеев, С. А., Овсянкин, В. В., Ефимов, Ю. П., Игнатьев, И. В., Петров, В. В. & Шабанов, С. В., 1996, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 38, 3, стр. 786-791

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. 1993
  7. Photoluminescence of Degenerate Electron Gas in GaAs:Si Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy Semiconductors

    Abramov, A. P., Abramova, I. N., Verbin, S. Y., Gerlovin, I. Y., Grigorev, S. R., Ignatev, I. V., Karimov, O. Z., Novikov, A. B. & Novikov, B. N., 1993, в: Semiconductors. 27, 7, стр. 647-649

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

    Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б. & Новиков, Б. В., 1993, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 27, 7, стр. 1175-1179

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1...3 4 5 6 7 Далее

ID: 194690