1. 2018
  2. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 2017
  4. Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6

    Klimovskikh, I. I., Sostina, D., Petukhov, A., Rybkin, A. G., Eremeev, S. V., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 2017, в: Scientific Reports. 7, 45797.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2016
  6. Specific features of the electronic, spin, and atomic structures of a topological insulator Bi2Te2.4Se0.6

    Filyanina, M. V., Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Rybkina, A. A., Rybkin, A. G., Zhizhin, E. V., Petukhov, A. E., Rusinov, I. P., Kokh, K. A., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., 1 апр 2016, в: Physics of the Solid State. 58, 4, стр. 779-787 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Mirror-symmetry protected non-TRIM surface state in the weak topological insulator Bi2TeI

    Rusinov, I. P., Menshchikova, T. V., Isaeva, A., Eremeev, S. V., Koroteev, Y. M., Vergniory, M. G., Echenique, P. M. & Chulkov, E. V., 2016, в: Scientific Reports. 6, стр. 20734

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Spin-texture inversion in the giant-Rashba semiconductor BiTeI

    Maass, H., Bentmann, H., Seibel, C., Tusche, C., Eremeev, S. V., Peixoto, T. R. F., Tereschchenko, O. E., Kokh, K. A., Chulkov, E. V., Kirschner, J. & Reinert, F., 2016, в: Nature Communications. 7, стр. 11621

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Temperature-driven topological quantum phase transitions in a phase-change material Ge2Sb2Te5

    Eremeev, S. V., Rusinov, I. P., Echenique, P. M. & Chulkov, E. V., 2016, в: Scientific Reports. 6, 38799

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi2Te2.4Se0.6

    Филянина, М. В., Климовских, И. И., Еремеев, С. В., Рыбкина, А. А., Рыбкин, А. Г., Жижин, Е. В., Петухов, А. Е., Русинов, И. П., Кох, К. А., Чулков, Е. В., Терещенко, О. Е. & Шикин, А. М., 2016, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 58, 4, стр. 754-762

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. 2015
  12. Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a three-dimensional topological insulator and a three-dimensional normal insulator.

    Men'shov, V. N., Tugushev, V. V., Eremeev, S. V., Echenique, P. M. & Chulkov, E. V., 2015, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 91, 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  13. Direct measurement of the bulk spin structure of noncentrosymmetric BiTeCl.

    Landolt, G., Eremeev, S. V., Tereshchenko, O. E., Muff, S., Kokh, K. A., Osterwalder, J., Chulkov, E. V. & Dil, J. H., 2015, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 91, 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  14. Electronic and spin structure of a family of Sn-based ternary topological insulators.

    Vergniory, M. G., Menshchikova, T. V., Silkin, I. V., Koroteev, Y. M., Eremeev, S. V. & Chulkov, E. V., 2015, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 92, 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

ID: 176725