1. 2019
  2. Unique Thickness-Dependent Properties of the van der Waals Interlayer Antiferromagnet MnBi2Te4 Films

    Otrokov, M. M., Rusinov, I. P., Blanco-Rey, M., Hoffmann, M., Vyazovskaya, A. Y., Eremeev, S. V., Ernst, A., Echenique, P. M., Arnau, A. & Chulkov, E. V., 13 мар 2019, в: Physical Review Letters. 122, 10, стр. 107202 6 стр., 107202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Surface electronic structure of bismuth oxychalcogenides

    Eremeev, S. V., Koroteev, Y. M. & Chulkov, E. V., 2019, в: Physical Review B-Condensed Matter. 100, 11, 115417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 2018
  5. Deep Insight Into the Electronic Structure of Ternary Topological Insulators: A Comparative Study of PbBi4Te7 and PbBi6Te10

    Pacilè, D., Eremeev, S. V., Caputo, M., Pisarra, M., De Luca, O., Grimaldi, I., Fujii, J., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Vobornik, I., Agostino, R. G., Goldoni, A., Chulkov, E. V. & Papagno, M., дек 2018, в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 12, 12, 8 стр., 1800341.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхписьмо/краткое сообщениеРецензирование

  6. New Universal Type of Interface in the Magnetic Insulator/Topological Insulator Heterostructures

    Eremeev, S. V., Otrokov, M. M. & Chulkov, E. V., 10 окт 2018, в: Nano Letters. 18, 10, стр. 6521-6529 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Topological states induced by local structural modification of the polar BiTeI(0001) surface

    Fiedler, S., Eremeev, S. V., Golyashov, V. A., Kaveev, A. K., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Chulkov, E. V., Bentmann, H. & Reinert, F., 20 июн 2018, в: New Journal of Physics. 20, 6, 8 стр., 063035.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. 2017
  10. Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6

    Klimovskikh, I. I., Sostina, D., Petukhov, A., Rybkin, A. G., Eremeev, S. V., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 2017, в: Scientific Reports. 7, 45797.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. 2016
  12. Specific features of the electronic, spin, and atomic structures of a topological insulator Bi2Te2.4Se0.6

    Filyanina, M. V., Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Rybkina, A. A., Rybkin, A. G., Zhizhin, E. V., Petukhov, A. E., Rusinov, I. P., Kokh, K. A., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., 1 апр 2016, в: Physics of the Solid State. 58, 4, стр. 779-787 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Mirror-symmetry protected non-TRIM surface state in the weak topological insulator Bi2TeI

    Rusinov, I. P., Menshchikova, T. V., Isaeva, A., Eremeev, S. V., Koroteev, Y. M., Vergniory, M. G., Echenique, P. M. & Chulkov, E. V., 2016, в: Scientific Reports. 6, стр. 20734

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. Spin-texture inversion in the giant-Rashba semiconductor BiTeI

    Maass, H., Bentmann, H., Seibel, C., Tusche, C., Eremeev, S. V., Peixoto, T. R. F., Tereschchenko, O. E., Kokh, K. A., Chulkov, E. V., Kirschner, J. & Reinert, F., 2016, в: Nature Communications. 7, стр. 11621

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 176725