1. 2007
  2. Spin relaxation in 2D electron gases in the strong scattering regime

    Glazov, M. M., Leyland, W. J. H., Ivchenko, E. L., Harley, R. T., Henini, M., Shields, A. J. & Ritchie, D. A., 1 дек 2007, Physics of Semiconductors - 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2006, Part A and B. Том 893. стр. 1301-1302 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. Diamagnetic contribution to the effect of in-plane magnetic field on a quantum-dot exciton fine structure

    Glazov, M. M., Ivchenko, E. L., Krebs, O., Kowalik, K. & Voisin, P., 28 ноя 2007, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 76, 19, 193313.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Spin coherence of a two-dimensional electron gas induced by resonant excitation of trions and excitons in CdTe (Cd,Mg) Te quantum wells

    Zhukov, E. A., Yakovlev, D. R., Bayer, M., Glazov, M. M., Ivchenko, E. L., Karczewski, G., Wojtowicz, T. & Kossut, J., 8 ноя 2007, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 76, 20, 205310.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Fine structure of excited excitonic states in quantum disks

    Glazov, M. M., Ivchenko, E. L., Baltz, R. V. & Tsitsishvili, E. G., 1 июн 2007, в: International Journal of Nanoscience. 6, 3-4, стр. 265-268 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Fine structure of exciton excited levels in a quantum dot with a magnetic ion

    Glazov, M. M., Ivchenko, E. L., Besombes, L., Léger, Y., Maingault, L. & Mariette, H., 10 мая 2007, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 75, 20, 205313.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Enhanced spin-relaxation time due to electron-electron scattering in semiconductor quantum wells

    Leyland, W. J. H., John, G. H., Harley, R. T., Glazov, M. M., Ivchenko, E. L., Ritchie, D. A., Farrer, I., Shields, A. J. & Henini, M., 10 апр 2007, в: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 75, 16, 165309.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2004
  9. Effect of electron-electron interaction on spin relaxation of charge carriers in semiconductors

    Glazov, M. M. & Ivchenko, E. L., 1 дек 2004, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 99, 6, стр. 1279-1290 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 2003
  11. D'yakonov-Perel' spin relaxation controlled by electron-electron scattering

    Glazov, M. M. & Ivchenko, E. L., 1 дек 2003, в: Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 16, 4, стр. 735-742 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзорная статья › Рецензирование

  12. 2002
  13. Precession spin relaxation mechanism caused by frequent electron-electron collisions

    Glazov, M. M. & Ivchenko, E. L., 25 апр 2002, в: JETP Letters. 75, 8, стр. 403-405 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 190752