1. 2023
  2. Evolution of Mn1−xGexBi2Te4 Electronic Structure under Variation of Ge Content

    Естюнина, Т. П., Шикин, А. М., Естюнин, Д. А., Ерыженков, А. В., Климовских, И., Бокай, К. А., Голяшов, В. А., Кох, К. А., Терещенко, О. Е., Kumar, S., Shimada, K. & Тарасов, А. В., 24 июл 2023, в: Nanomaterials. 13, 14, 2151.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1-xSnx)Bi2Te4

    Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., 10 фев 2023, в: Symmetry. 15, 2, 11 стр., 469.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 2022
  5. Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)2Te4

    Глазкова, Д. А., Естюнин, Д. А., Климовских, И. И., Рыбкина, А. А., Головчанский, И. А., Терещенко, О. Е., Кох, К. А., Щетинин, И. В., Голяшов, В. А. & Шикин, А. М., 24 ноя 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 116, 11, стр. 793 – 800

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. 2019
  7. Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3

    Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. V., 1 сен 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404–412 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. 2018
  9. Topological states induced by local structural modification of the polar BiTeI(0001) surface

    Fiedler, S., Eremeev, S. V., Golyashov, V. A., Kaveev, A. K., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Chulkov, E. V., Bentmann, H. & Reinert, F., 20 июн 2018, в: New Journal of Physics. 20, 6, 8 стр., 063035.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Spin and electronic structure of the topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2

    Filianina, M. V., Klimovskikh, I. I., Shvets, I. A., Rybkin, A. G., Petukhov, A. E., Chulkov, E. V., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Polley, C., Balasubramanian, T., Leandersson, M. & Shikin, A. M., 1 мар 2018, в: Materials Chemistry and Physics. 207, стр. 253-258 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. 2017
  13. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

    Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 2017, в: Scientific Reports. 7, 3353.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. 2016
  15. Crystal growth of Bi2Te3 and noble cleaved (0001) surface properties.

    Atuchin, V. V., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Korolkov, I. V., Kozhukhov, A. S., Kruchinin, V. N., Loshkarev, I. D., Pokrovsky, L. D., Prosvirin, I. P., Romanyuk, K. N. & Tereshchenko, O. E., 2016, в: Journal of Solid State Chemistry. 236, стр. 203–208

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  16. Experimental realization of a topological p-n junction by intrinsic defect-grading

    Bathon, T., Achilli, S., Sessi, P., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Trioni, M. I. & Bode, M., 2016, в: Advanced Materials. 28, стр. 2183–2188

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

ID: 212896