21 - 30 из 39Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2014

  2. Luminescence of degraded Si-SiO2 structures

    Baraban, A. P., Dmitriev, V. A. & Gadzhala, A. A., 2014, в: Russian Physics Journal. 57, 5, стр. 627-632

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  3. Возможности люминесценции при исследовании слоистых диэлектрических слоев на кремнии.

    Гаджала, А. А., Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Дрозд, В. Е. & Прокофьев, В. А., 2014, стр. 166169.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

  4. Люминесценция деградированных структур Si-SiO2

    Барабан, А. П., Гаджала, А. А. & Дмитриев, В. А., 2014, в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ФИЗИКА. 57, 5, стр. 56-61

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Особенности слоистых структур на основе кремния, содержащих пленки гидридов металлов

    Барабан, А. П., Войт, А. П., Габис, И. Е., Дмитриев, В. А., Добротворский, М. А. & Селиванов, А. А., 2014, в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 1, 3, стр. 342-347

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2013

  7. Diagnostics of γ-Irradiated Si–SiO2 Structures by the Cathodoluminescence Method

    Baraban, A. P., Dmitriev, V. A., Petrov, Y. V. & Timofeeva, K. A., 2013, в: Semiconductors. 47, 13, стр. 1711-1714 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  8. Specific Features of the Field Generation of Minority Charge Carriers in Si–SiO2 Structures

    Baraban, A. P., Konorov, P. P., Dmitriev, V. A. & Prokof'ev, V. A., 2013, в: Semiconductors. 47, 4, стр. 511-513

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции.

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Петров, Ю. В. & Тимофеева, К. А., 2013, в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2(100), стр. 71-76

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  10. Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si-SiО2

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Коноров, П. П. & Прокофьев, В. А., 2013, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 47, 4, стр. 490-492

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Структуры с управляемым сопротивлением, формируемые методом Молекулярного Наслаивания

    Барабан, А. П., Гаджала, А. А., ДмитриевВ.А., В. А., Дрозд, В. Е., Никифорова, И. О., Петров, Ю. В., Прокофьев, В. А. & Селиванов, А. А., 2013, в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 4, стр. 42-47

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2012

  13. Electron-excited luminescence of SiO2 layers on silicon

    Baraban, A. P., Dmitriev, V. A., Petrov, Y. V. & Timofeeva, K. A., 2012, в: Physics of the Solid State. 54, 6, стр. 1149-1152

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 214777