1. 2016
  2. Reduction of exciton mass by uniaxial stress in GaAs/AlGaAs quantum wells

    Loginov, D. K., Grigoryev, P. S., Efimov, Y. P., Eliseev, S. A., Lovtcius, V. A., Petrov, V. V., Ubyivovk, E. V. & Ignatiev, I. V., 2016, в: Physica Status Solidi (B): Basic Research. 253, 8, стр. 1537–1544

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2015
  4. Влияние одноосного давления на экситонные спектры люминесценции квантовой ямы InGaAs/GaAs

    Григорьев, Ф. С., Логинов, Д. К., Сапега, В. Ф., Ефимов, Ю. П., Долгих, Ю. К., Петров, В. В. & Елисеев, С. А., 2015, Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». стр. 465-466

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

  5. Прямое численное решение уравнения Шредингера для экситонов в квантовых ямах

    Храмцов, Е. С., Белов, П. А. & Григорьев, Ф. С., 2015, Сборник тезисов участников форума «Наука будущего-наука молодых». Инконсалт К, стр. 383–385

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

  6. 2014
  7. Exact calculation of exciton binding energy in quantum wells

    Khramtsov, E. S., Grigoryev, P. S., Verbin, S. Y. & Ignatiev, I. V., 2014, Proceedings of 22nd International Symposium "NANOSTRUCTURES: Physics and Technology" (SPb, 2014). стр. 108-109

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 171502