Олег Федорович Вывенко

Просмотреть профиль в Scopus

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут показаны здесь.

1570 всего цитирований публикаций, внесённых в Pure
19 h-индекс по публикациям в Pure
110 статья
17 статья в сборнике материалов конференции
16 статья в журнале по материалам конференции
3 глава/раздел
другое

Результатов 16

Фильтр

2021
Characteristic emission from quantum dot-like intersection nodes of dislocations in GaN
Shapenkov, S. V., Vyvenko, O. F., Schmidt, G., Bertram, F., Metzner, S., Veit, P. & Christen, J., 15 апр 2021, В: Journal of Physics: Conference Series. 1851, 1, 012013.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
1 Цитирования (Scopus)
2020
Peculiarities of electron emission from high-density deep levels of nanodefects in oxygen-implanted silicon
Danilov, D. V., Vyvenko, O. F., Loshachenko, A. S. & Sobolev, N. A., 25 мар 2020, В: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012003.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
2019
Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon
Trushin, M., Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, O. & Kittler, M., 23 мая 2019, В: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 9 стр., 012005.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
Extended core structure and luminescence of a-screw dislocations in GaN
Medvedev, O. S., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Shapenkov, S. V. & Seibt, M., 23 мая 2019, В: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 5 стр., 012006.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
3 Цитирования (Scopus)
HVPE growth of α-and ϵ-Ga₂O₃ on patterned sapphire substrates
Nikolaev, V. I., Pechnikov, A. I., Nikolaev, V. V., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Stepanov, S. I., Medvedev, O. S., Shapenkov, S. V., Ubyivovk, E. V. & Vyvenko, O. F., 11 дек 2019, В: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 055049.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
9 Цитирования (Scopus)
Oxygen precipitate positive charge evolution upon annealing of oxygen implanted silicon
Danilov, D., Vyvenko, O., Trushin, M., Loshachenko, A. & Sobolev, N., 23 мая 2019, В: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 4 стр., 012016.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
3 Цитирования (Scopus)
Unusual behavior of dislocations freshly-introduced under Schottky contact in GaN
Medvedev, O. S., Vyvenko, O. F. & Katrushenko, M. V. N., 23 мая 2019, В: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 4 стр., 012008.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ
2016
Plasmon-enhanced Electron Scattering in Nanostructured Thin Metal Films Revealed by Low-voltage Scanning Electron Microscopy
Mikhailovskii, V., Petrov, Y. & Vyvenko, O., 2016, В: AIP Conference Proceedings. 1748, 1, 5 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции
1 Цитирования (Scopus)
Recombination-Related Properties of a-Screw Dislocations in GaN: A Combined CL, EBIC, TEM Study
Medvedev, O. S., Vyvenko, O. F., Bondarenko, A. S., Mikhailovskii, V. Y., Ubyivovk, E. V., Peretzki, P. & Seibt, M., 2016, В: AIP Conference Proceedings. 1748, 1, 7 стр., 020011.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
9 Цитирования (Scopus)
2008

Dislocations in silicon as a tool to be used in optics, electronics and biology
Kittler, M., Reiche, M., Arguirov, T., Mchedlidze, T., Seifert, W., Vyvenko, O. F., Wilhelm, T. & Yu, X., 2008, В: Solid State Phenomena. 131-133, стр. 289-292 4 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование

9 Цитирования (Scopus)
2007
Electrical levels of nanoscale NiSi₂ precipitates in silicon band gap
Trushin, M. V. & Vyvenko, O. F., 2007, В: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 3056-3060 5 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
4 Цитирования (Scopus)
Luminescence of dislocation network in directly bonded silicon wafers
Yu, X., Kittler, M., Vyvenko, O. F., Seifert, W., Arguirov, T., Wilhelm, T. & Reiche, M., 2007, В: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 3025-3029 5 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
1 Цитирования (Scopus)
Scanning probe studies of the electrical activity at interfaces formed by silicon wafer direct bonding
Ratzke, M., Vyvenko, O., Yu, X., Reif, J., Kittler, M. & Reiche, M., 2007, В: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 2893-2897 5 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
2006
Regular dislocation networks in silicon as a tool for novel device application
Kittler, M., Reiche, M., Seifert, W., Arguirov, T., Vyvenko, O. F., Mchedlidze, T. & Wilhelm, T., 2006, В: ECS Transactions. 3, 4, стр. 429-450 22 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
9 Цитирования (Scopus)
2003
Applications of synchrotron radiation X-ray techniques on the analysis of the behavior of transition metals in solar cells and single-crystalline silicon with extended defects
Buonassisi, T., Heuer, M., Vyvenko, O. F., Istratov, A. A., Weber, E. R., Cai, Z., Lai, B., Ciszek, T. F. & Schindler, R., 31 дек 2003, В: Physica B: Condensed Matter. 340-342, стр. 1137-1141 5 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
23 Цитирования (Scopus)
1986
DEEP LEVELS DUE TO DISLOCATIONS IN CdS.
Vyvenko, O. F., Bazlov, N. V. & Tul'ev, A. V., 1986, В: Bulletin of the Academy of Sciences of the U.S.S.R. Physical series. 51, 4, стр. 39-43 5 стр.
Результат исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › рецензирование
1 Цитирования (Scopus)

Вывенко Олег Федорович

Результаты исследований

Поиск результатов