1231 - 1240 из 1 810Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2011

  2. Electrical characterization of silicon wafer bonding interfaces by means of voltage dependent light beam and electron beam induced current and capacitance of Schottky diodes

    Trushin, M., Vyvenko, O., Mchedlidze, T., Reiche, M. & Kittler, M., 2011, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 8, 4, стр. 1371-1376

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  3. Electrical levels of dislocation networks in p- and n-type Si

    Isakov, I., Bondarenko, A., Vyvenko, O., Vdovin, V., Ubyivovk, E. & Kononchuk, O., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012010_1-10

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Electronic properties of hydrogenated quasi-free-standing graphene

    Haberer, D., Petaccia, L., Wang, Y., Quian, H., Farjam, M., Jafari, S. A., Sachdev, H., Federov, A. V., Usachov, D., Vyalikh, D. V., Liu, X., Vilkov, O., Adamchuk, V. K., Irle, S., Knupfer, M., Büchner, B. & Grüneis, A., 2011, в: Physica Status Solidi (B): Basic Research. 248, 11, стр. 2639-2643

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  5. Electronic properties of the polycrystalline tin dioxide interface with conjugated organic layers

    Komolov, A. S., Komolov, S. A., Lazneva, E. F., Gavrikov, A. A. & Turiev, A. M., 2011, в: Surface Science. 605, 15-16, стр. 1449-1453

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  6. Evidence for a New Two-Dimensional C4H-Type Polymer Based on Hydrogenated Graphene

    Haberer, D., Giusca, C. E., Wang, Y., Sachdev, H., Fedorov, A. V., Farjam, M., Jafari, S. A., Vyalikh, D. V., Usachov, D., Liu, X., Treske, U., Grobosch, M., Vilkov, O., Adamchuk, V. K., Irle, S., Silva, S. R. P., Knupfer, M., Büchner, B. & Grüneis, A., 2011, в: Advanced Materials. 23, 39, стр. 4497-4503

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  7. Exceptionally low threshold of field emission from carbon nanostructures

    Fursey, G., Polyakov, M., Pavlov, B., Yafyasov, A. & Bogevolnov, V., 2011, Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), 2011 24th International.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике › научная › Рецензирование

  8. Features of the Surface Layers of TiNi-Based Alloy Thin Ribbons

    Senkovskiy, B. V., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Ulyanov, P. G., Yaroslavtsev, A. A., Grishina, O. V., Shelyakov, A. V., Sitnikov, N. N., Menushenkov, A. P. & Adamchuk, V. K., 2011, в: Journal of Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 5, 3, стр. 582-586

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. Giant Poole-Frenkel effect for the shallow dislocation-related hole traps in silicon

    Trushin, M., Vyvenko, O., Vdovin, V. & Kittler, M., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012009_1-10

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Graphene: Synthesis and features of electronic structure

    Shikin, A. M., Rybkin, A. G., Marchenko, D. E., Popova, R. A. A., Varykhalov, A. V. & Rader, O., 2011, в: Nanotechnologies in Russia. 6, 9-10, стр. 625-632

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  11. Identification of dislocation-related luminescence participating levels in silicon by DLTS and Pulsed-CL profiling

    Bondarenko, A., Vyvenko, O. & Isakov, I., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012008

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...120 121 122 123 124 125 126 127 ...181 Далее

ID: 31041