Fine core structure and spectral luminescence features of freshly introduced dislocations in Fe-doped GaN

Деятельность: выступлениевыступление со стендовым докладом

Период27 июл 2021 → …
Название события32th International Conference on Defects in Semiconductors
Тип мероприятияконференция
Номер конференции32
МестонахождениеОсло, Норвегия
Степень признанияМеждународная