Доклад посвящён экспериментальному исследованию ионно–индуцированных дефектов тонкого монокристалла h–BN, перенесенного на подложку Si3N4/Si после отслаивания от объемного кристалла. В работе проводилось облучение сфокусированными ионными пучками (ФИП) Ga+ и He+. Было рассмотрено влияние этих пучков на люминесцентные свойства h-BN.