Современные квантовые компьютерные технологии, в том числе квантовая криптография, требуют новых материалов для изготовления источников одиночных фотонов (ИОФ). Для создания устройств с ИОФ, необходима разработка экспериментальных методов локального управления концентрацией желаемых центров люминесценции. В данной работе мы детально исследовали изменение интенсивности полосы люминесценции 4 эВ при облучении электронами с различными потоками и энергиями электронного пучка.
В качестве исходного материала в наших экспериментах использовался кристалл hBN заявленной чистотой 99,99% производства компании «Ossila». Эксперименты проводились при комнатной температуре с облучением ускоренными электронами в режиме непрерывного сканирования с использованием сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) Zeiss SUPRA 40VP, оснащенного системой регистрации Gatan Mono CL3+.