«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»

R.R. Reznik, I.V. Shtrom, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, A.D. Bourauvlev, I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, G.E. Cirlin

Research outputpeer-review

Abstract

Используя двухтемнературный режим роста нам удалось вырастить заостренные нанонити на основе GaAs на кремниевой подложке и исследовать их оптические спектры. Оказалось, что от такого массива нанинитей можно наблюдать спектры фотолюминесценции вплоть до комнатной температуры. Спектры фотолюминесценции при низкой температуре состоят из узких полос, соответствующих связанным с поверхностью электронными состояния и связанными на примесях экситонами. После обработки толуолом, тонкая структура в спектрах исчезала.
Original languageEnglish
Title of host publication«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»
Pages012003
DOIs
Publication statusPublished - 2015

Fingerprint Dive into the research topics of '«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»'. Together they form a unique fingerprint.

Cite this