Abstract
Наблюдалась генерация терагерцового излучения при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами в упорядоченных массивах нанонитей на основе GaAs. Было установлено, что эффективность генерации терагерцового излучения увеличивается за счет резонансного возбуждения истекающей моды в нанопроводе. Максимальная величина напряженности терагерцового поля достигается, когда расстояние между нанопроводов порядка длины волны возбуждающего света.
| Original language | English |
|---|---|
| Pages (from-to) | 252104 |
| Journal | Applied Physics Letters |
| Volume | 106 |
| State | Published - 2015 |
| Externally published | Yes |