Электролюминесценция слоев Ta2O5, полученных методом молекулярного наслаивания

А.П. Барабан, В.А. Дмитриев, В.Е. Дрозд, Ю.В. Петров, В.А. Прокофьев

Research output

Abstract

Показана возможность использования электролюминесценции для исследования структур Si-Ta2O5 и Si-SiO2-Ta2O5 и получения информации об электронном строении слоя Ta2O5 и свойствах границы SiO2-Ta2O5. Предложена модель электронного строения слоя Ta2O5, полученного методом молекулярного наслаивания, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Показано, что формирование слоя Ta2O5 на поверхности термически окисленного кремния сопровождается трансформацией в приповерхностной области SiO2 и гашением полосы люминесценции в спектральной области 650 nm. Ключевые слова: электролюминесценция, молекулярное наслаивание, спектральное распределение, электронное строение.
Original languageRussian
Pages (from-to)224-227
JournalОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ
Volume128
Issue number2
DOIs
Publication statusPublished - 20 Jan 2020

Cite this