Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

А.П. Абрамов, И.Н. Абрамова, С.Ю. Вербин, И.Я. Герловин, С.Р. Григорьев, И.В. Игнатьев, О.З. Каримов, А.Б. Новиков, Б.В. Новиков

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Original languageUndefined
Pages (from-to)1175-1179
JournalФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Volume27
Issue number7
StatePublished - 1993

Cite this