Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Abstract

Получено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса-Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R-m, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии.
Original languageRussian
Pages (from-to)15-18
JournalПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"
Issue number20
StatePublished - 2020

Cite this