Исследование динамики неизлучающих экситонов в квантовой яме GaAs/AlGaAs при различных мощностях накачки

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionResearchpeer-review

Abstract

С помощью методики накачки-зондирования для квантовой ямы GaAs/AlGaAs шириной 14 нм проведено исследование динамики долгоживущих неизлучающих экситонов по их влиянию на уширение экситонных резонансов в спектрах отражения. Зависимости от мощности накачки демонстрируют сублинейный рост добавочного нерадиационного уширения. Проведенное моделирование показывает, что это можно объяснить уменьшением эффективности рассеяния светлых экситонов в долгоживущие состояния с ростом мощности накачки, а также повышением температуры этих состояний, что увеличивает вероятность распада экситонов на электроны и дырки и уменьшает сечение рассеяния экситонов.
Original languageRussian
Title of host publicationНанофизика и наноэлектроника
Subtitle of host publicationТруды XXV Международного симпозиума. В 2 т.
Place of PublicationНижний Новгород
PublisherИздательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
Pages760-761
Volume2
StatePublished - 2021
EventXXV международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" - Нижний Новгород, Russian Federation
Duration: 9 Mar 202112 Mar 2021
Conference number: XXV
https://nanosymp.ru/ru/about

Conference

ConferenceXXV международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Country/TerritoryRussian Federation
CityНижний Новгород
Period9/03/2112/03/21
Internet address

Cite this