ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS

Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко, А.В. Селькин

Research output

Abstract

Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок.
Original languageRussian
Pages (from-to)1979-1987
JournalФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Volume48
Issue number11
Publication statusPublished - 2006

Cite this