АППАРАТНАЯ АСИММЕТРИЯ РЕЗОНАНСОВ НАСЫЩЕНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ НА ПРИМЕРЕ РЕЗОНАНСОВ SiF4/CO2

И.Р. Крылов, И.А. Охинченко, П.Ю. Шапочкин

Research output

Abstract

В работе экспериментально доказано, что три основные причины асимметрии резонансов насы- щения поглощения имеют соизмеримые вклады в асимметрию. 1. Излучение, отражённое обратно в резонатор лазера, имеет разную фазу на двух частотных склонах резонанса. Мощность генерации лазера зависит от фазы отражённого излучения. Разная мощность генерации лазера на двух частот- ных склонах резонанса нарушает симметрию регистрируемого сигнала. 2. Показатель преломления исследуемой среды изменяется пропорционально мощности лазерного излучения. Мощность излуче- ния различается на оси кюветы и на её краю. Это приводит к появлению в среде линзы, наведённой светом. Оптическая сила наведённой линзы различается знаком на двух частотных склонах резонанса, и линза в разной мере фокусирует свет на приёмнике. 3. Различная фокусировка света на приёмнике на двух частотных склонах резонанса приводит к тому, что перемещение приёмника света поперёк луча изменяет знак асимметричного вклада в резонанс. Библиогр. 26 назв. Ил. 3.
Original languageRussian
Pages (from-to)3-9
JournalВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ
Issue number2
Publication statusPublished - 2013

Cite this