В настоящий момент происходит интенсивное развитие гибкой электроники. Однако, есть только две публикации, в которых обсуждается высокая, металлическая пластичность неорганических полупроводников. Кроме того, известны две попытки применения Ag2Se в устройствах гибкой электроники. В первом случае гибкость устройства (ячейки памяти на полиэтиленнафталатной подложке) достигается не за счет того, что она присуща самому материалу даже в монолитном виде, а за счет использования пленки, состоящей из нанокристаллов размером около 15 нм. Радиус допустимого изгиба устройств составлял 16 мм. Во второй работе для достижения гибкости использовалась пленка, полученная прессованием слоя нановолокон Ag2Se на нейлоновой подложке. Причем в последнем случае 93% устройств (термоэлектрических элементов) сохранили свою работоспособность после 1000 изгибов с радиусом 4 мм. Однако авторы при выборе полупроводникового соединения отталкивались от особенностей электронных и других функциональных свойств этого полупроводника (высокого коэффициента термо-ЭДС, низкой теплопроводности), не интересуясь механическими свойствами, в частности пластичностью.
Авторы проекта не только показали, что полупроводник Ag2Se аналогично Ag2S имеет пластичность, соответствующую металлам, продемонстрировали возможность его механической обработки подобно металлам, разработали методику получения ориентированных, стехиометрических, крупноблочных пленок Ag2Se лазерной абляцией, но и впервые получили этот полупроводник в устойчивом аморфном состоянии, которое, при определенных условиях, сохраняется после нескольких прогревов до температуры выше 250оС. Существование устойчивого аморфного состояния открывает дополнительные возможности использования этого полупроводника в гибкой электронике.