Содержание проекта относится к области высоких технологий производства новых материалов для полупроводниковой
электроники и оптоэлектроники. Планируемое исследование предполагает разработку принципиально нового метода
контроля качества интерфейсов в системах полупроводник-оксид. Уникальность исследования состоит в сочетании
компьютерного моделирования, основанного на строгих теоретических методах, и анализа экспериментальных
спектров, получаемых на стандартных установках. Члены коллектива зарекомендовали себя как компетентные и
активно работающие профессионалы, активно участвующие в международном научном сотрудничестве.
Выполнение данного проекта будет способствовать повышению конкуренции в сфере научно-исследовательской
деятельности и активному участию научно-исследовательских организаций Санкт-Петербурга в процессах
международного научно-технического сотрудничества, предоставляющих доступ к передовым компетенциям. Эти
пункты занимают важное место в «Стратегии социально-экономического развития Санкт Петербурга до 2035 года».
Имеющийся у научного коллектива научный задел по проекту, наличие опыта совместной реализации проектов
(указываются полученные ранее результаты, разработанные программы и методы)
Коллектив имеет большой задел в области компьютерного моделирования рамановских спектров полупроводниковых
сверхрешеток, в том числе, в установлении корреляций между спектрами и структурой [1-10]. Члены коллектива имеет
богатый опыт в компьютерном моделировании электронной и пространственной структуры кристаллических
диэлектриков и полупроводников [11-20]. Коллектив имеет богатый опыт в компьютерном моделировании нелинейных
оптических свойств [11-14]. Члены коллектива имеют опыт моделирования структуры и нелинейных оптических
свойств многоатомных оксидных кластеров [21-23]. Все члены коллектива имеют опыт совместной работы: все работы
из приведенного ниже списка (кроме трех) опубликованы членами коллектива в соавторстве.
1. Smirnov M et al. Vibrational Spectra of AlN/GaN Superlattices: Theory and Experiment. Phys. Solid State 2005, 47, 716-727.
doi:10.1134/1.1913991
2. Davydov V., Roginskii E., Smirnov, M. Et al. Lattice dynamics of short-period AlN/GaN superlattices: Theory and experiment.
Phys. Status Solidi (a) 2013, 210, 484–487. doi:10.1002/pssa.201200700
3. Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices. D. V. Pankin, M. B. Smirnov et al. Semiconductors
50, 57-62 (2016) DOI: 10.1134/S1063782616080169
4. Elastic strains effect on frequencies of delocalized polar phonons in AlN/GaN superlattices. Pankin D.V., Smirnov M.B et al.
AIP Conf. Proc. 1748, 050007 (2016). DOI: 10.1063/1.4954370
5. Influence of AlN/GaN superlattice period on frequency of polar optical modes. Pankin D.V., Smirnov M.B. J. Phys.:
Conference Series. 741, 012123 (2016) DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012123
6. Structural and Dynamical Properties of Short-Period GaN/AlN Superlattices: Experiment and Theory. V Yu Davydov, E. M.
Roginskii, M. B. Smirnov et al. Semiconductors, 54, 1706–1709 (2020). doi.org/10.1134/S1063782620120052
7. Raman spectra of folded acoustic phonons in short-period GaN/AlN superlattices as a tool for structure characterization. V
Yu Davydov, E M Roginskii, M B Smirnov et al. Journal of Physics: Conference Series 1697, 012158 (2020). doi:10.1088/1742-
6596/1697/1/012158
8. Phonons in Short-Period GaN/AlN Superlattices: Group-Theoretical Analysis, Ab initio Calculations, and Raman Spectra. V
Davydov, E Roginskii, M. Smirnov et al. Nanomaterials 2021,11, 286. https://doi.org/10.3390/nano11020286
9. Davydov V. Roginskii E., Smirnov M. Phonons in Short-Period GaN/AlN Superlattices: Group-Theoretical Analysis, Ab initio
Calculations, and Raman Spectra. Nanomaterials 2021, 11, 286. doi:10.3390/nano11020286
10. V Davydov, E Roginskii, M Smirnov et al. The effect of interface diffusion on Raman spectra of wurtzite short-period
GaN/AlN superlattices. Nanomaterials 2021, 11, 2396. doi: 10.3390/nano11092396
11. Comparative Analysis of the Electronic Structure and Nonlinear Optical Susceptibility of α TeO2 and β TeO3 Crystals. E.
Roginskii, M. Smirnov et al. J. Phys. Chem. C 121, 12365−12374 (2017) , DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b01819
12. Third order nonlinear optical properties of a paratellurite single crystal. J-R. Duclere, E. Roginskii, M. Smirnov et al. J. Appl.
Phys. 123, 183105 (2018) DOI: 10.1063/1.5020646
13. A computational study of the electronic structure and optical properties of the complex TeO2/TeO3 oxides as advanced
materials for nonlinear optics. E Roginskii ,M Smirnov et al. Mater. Res. Express 6 (2019) 125903 doi.org/10.1088/2053-
1591/ab55a3
14. Электронная структура и нелинейная диэлектрическая восприимчивость g-фазы оксида теллура. Е.М. Рогинский,
М.Б. Смирнов. Физика твердого тела, 2020, том 62, вып. 4. DOI: 10.21883/FTT.2020.04.49117.641
15. Unraveling the Structure−Raman Spectra Relationships in V2O5 Polymorphs via a Comprehensive Experimental and DFT
Study. M. Smirnov, E. Roginskii et al Inorg. Chem. 57, 9190 (2018) DOI: 10.1021/acs.inorgchem.8b01212
16. Raman spectra and structural peculiarities of TeO2-TeO3 mixed oxides. M Smirnov, E Roginskii et al 2018 J. Phys.:
Condens. Matter 30 475403 doi.org/10.1088/1361-648X/aae811
17. Raman spectroscopy: A promising tool for the characterization of transition metal phosphides. D. V. Pankin, M. B. Smirnov,
et al Journal of Alloys and Compounds. Volume 853, 5 February 2021, 156468 doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156468
18. Spectral properties of triphenyltin chloride toxin and its detectivity by SERS: Theory and experiment. D. Pankin, M.
Smirnov, et al Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy 245, 118933 (2021)
doi.org/10.1016/j.saa.2020.118933
19. New candidate to reach Shockley–Queisser limit: The DFT study of orthorhombic silicon allotrope Si(oP32), A.S.
Oreshonkov, E.M. Roginskii, V.V. Atuchin, Journal of Physics and Chemistry of Solids, Volume 137, 2020, 109219,
https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2019.109219.
20. A Computational and Spectroscopic Study of the Electronic Structure of V2O5 Based Cathode Materials. E. Roginskii, M.
Smirnov et al, J. Phys. Chem. C 2021. https://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c11285
21. Boson Peak Related to Ga Nanoclusters in AlGaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy at Ga-Rich
Conditions. V. Davydov, E. Roginskii, M. Smirnov et al. Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 11, pp. 1479–1488. (2019)
doi.org/10.1134/S1063782619110058
22. Nonlinear optical properties of tellurium oxide nanoclusters. E M Roginskii, M B Smirnov, et al. 2019 Journal of Physics:
Conference Series, 1461, 012137, METANANO 2019 15-19 July 2019, St. Petersburg, Russian Federation.
doi.org/10.1088/1742-6596/1461/1/012137
23. Ab initio study of non-liner optical susceptibility of TeO2-based glasses. Mirgorodsky, M. Smirnov et al. Phys. Rev. B, 73,
134206-13 (2006) DOI: 10.1103/PhysRevB.73.134206