Проект направлен на экспериментальную реализацию нового принципа глубокого охлаждения кристаллических систем — флуктуационную поляризацию ядерных и электронных спинов полупроводниковых наноструктур. Для этого будет разработана и изготовлена слоистая полупроводниковая структура на основе арсенида галлия, в которой будет обеспечена возможность регистрации фазы спиновой прецессии в реальном времени. С помощью индукционной обратной связи со спиновой системой предполагается конвертировать случайную намагниченность в регулярную и тем самым подтвердить предсказанную теоретически возможность охлаждения спиновых систем радиочастотным полем. Таким образом, настоящий проект направлен на переход к передовым технологиям проектирования продукции, основанным на применении новых материалов — микрорезонаторов с объёмным слоем n-легированного GaAs с точно заданной концентрацией электронов и добротностью, и интеллектуальных решений — реализации принципиально новой физической концепции оптического охлаждения.